MEKANISME PEMBENTUKAN TITANIUM SILIKON KARBIDA DARI SISTEM Ti-SiC-C[The Mechanisme of Titanium Silicon Carbide in Ti-SiC-C System]

Abstract

MEKANISME PEMBENTUKAN TITANIUM SILIKON KARBIDA DARI SISTEM Ti-SiC-C. Titanium
silikon karbida telah dapat dihasilkan dari sistem Ti-SiC-C melalui teknik plasma discharge sintering (PDS)
pada temperatur 1300 °C. Mekanisme pembentukan Ti3SiC2 pada temperatur ini didahului oleh pembentukan
fasa intermediate, TiC and Ti5Si3 pada temperatur 700-900 °C. Ti3SiC2 baru terbentuk pada 1300 °C melalui
reaksi antar padatan antara fasa intermediate TiC and Ti5Si3. Hasil akhir yang didapat adalah komposit dengan
Ti3SiC2 sebagai matriks dan TiC sebagai fasa terdistribusi.

Abstract

Titanium silicon carbide can be synthesized from raw material of Ti-SiC-C system through plasma discharge
sintering technique (PDS) at 1300 °C. The mechanism of Ti3SiC2 formation is started with the formation of
intermediate phases, TiC and Ti5Si3 at 700-900 °C. Ti3SiC2 can only spontaneously be formed at 1300 °C
through solid-state reaction between TiC and Ti5Si as intermediate phases. The final result is a composite
consisting of matrix phase Ti3SiC2 and distributed phase TiC.